Eine neue Produktionslinie von Infineon soll Galliumnitrid in Großserie verfügbar machen. Sie wird am österreichischen Standort Villach in bestehende Reinräume integriert. Verarbeitet werden Wafer mit 300 Millimetern Durchmesser für Leistungshalbleiter. Der Ausbau erfordert nach Planung Investitionen von rund 1,1 Milliarden Euro. Die Umsetzung soll spätestens im Jahr 2034 abgeschlossen sein. Ab Ende 2027 beginnt die Fertigung energieeffizienter Chips. Die Produktionskapazität wird flexibel an die Kundenanforderungen angepasst.
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Infineon verankert die nächste GaN-Chipgeneration am Standort Villach industriell
In Villach schafft Infineon eine industrielle Grundlage für die nächste GaN-Chipgeneration. Die Fertigung setzt auf 300-Millimeter-Wafer mit großer nutzbarer Prozessfläche. Dadurch kann eine hohe Zahl an Leistungshalbleitern parallel gefertigt werden. Das unterstützt die Ausweitung der Technologie auf größere Produktionsvolumina. Standardisierte Abläufe verbessern zudem die Voraussetzungen für stabile Serienprozesse. Der Standort bündelt Entwicklung, Prozesswissen und Fertigung in einem Umfeld. Villach gewinnt als internationaler Kompetenzträger für Leistungshalbleiter weiter an Gewicht.
Modernisierung bestehender Reinräume reduziert Aufwand für den Kapazitätsaufbau deutlich
Der Ausbau der Halbleiterfertigung erfolgt in vorhandenen Reinräumen Villachs vorrangig. Infineon bringt diese Flächen mit moderner Prozesstechnik auf Stand schrittweise. Weitreichende Neubauten sind daher für die Kapazitätserweiterung nicht erforderlich zunächst. Das senkt Ausgaben für Bauleistungen und technische Grunderschließung erheblich insgesamt. Bestehende Abläufe unterstützen die Integration zusätzlicher Anlagen im Betrieb direkt. Der Hochlauf kann in Umfang und Zeitpunkt marktgerecht erfolgen jeweils. Die Strategie verbindet vorhandene Ressourcen mit einer anpassbaren Produktionsplanung dauerhaft.
GaN steigert Effizienz elektrischer Systeme in zahlreichen Wachstumssegmenten deutlich
GaN-Bauelemente erleichtern Stromversorgungslösungen, weil sie elektrische Energie bei hohen Schaltfrequenzen mit geringeren Verlusten umwandeln. Diese Eigenschaften vereinfachen die Entwicklung kompakter Systeme mit hoher Leistungsdichte und reduziertem Kühlbedarf. Besonders KI-Rechenzentren benötigen solche Komponenten, um ihren wachsenden Strombedarf effizienter zu decken. Zusätzlich profitieren Energie-Infrastruktur, Elektrofahrzeuge, Robotik und Konsumentenelektronik. Die geplante Fertigung adressiert daher Märkte, in denen leistungsfähige, sparsame und zuverlässig skalierbare Halbleiter für anspruchsvolle Anwendungen künftig besonders häufig benötigt werden.
Investition und Produktionsstart stärken Villachs GaN-Fertigung langfristig bedarfsgerecht weiter
Für Villach plant Infineon einen Produktionsstart von Galliumnitrid-Leistungshalbleitern zum Ende des Jahres 2027. Das Investitionsprogramm läuft bis 2034 und umfasst etwa 1,1 Milliarden Euro. Der Umfang der Fertigung wird schrittweise an die Nachfrage angepasst. Somit entscheidet nicht allein die technische Möglichkeit über den Ausbau, sondern auch die Aufnahmefähigkeit des Marktes. Das Unternehmen kann Produktionsmengen flexibel erhöhen oder stabil halten und seine Ressourcen entsprechend den tatsächlichen Anforderungen von Kunden und Anwendungsfeldern einsetzen.
EU-Mittel fördern technologische Souveränität durch erweiterte Halbleiterproduktion Europas nachhaltig
319 Millionen Euro aus dem Europäischen Chips Act stärken das Vorhaben zur Hochvolumenfertigung in Villach. Die Förderung dient dem Aufbau zusätzlicher Produktionsmöglichkeiten für moderne Leistungshalbleiter in Europa. Sie unterstützt eine Fertigungsstrategie, die hohe Mengen mit effizienten Abläufen verbinden soll. Für europäische Abnehmer bedeutet dies eine breitere regionale Bezugsbasis für wichtige elektronische Komponenten. Daneben trägt das Projekt zur Verbesserung der technologischen Eigenständigkeit bei und festigt Europas Rolle als Standort industrieller Halbleiterproduktion.
Die Investition macht vorhandene Villacher Reinräume für GaN-Serienfertigung nutzbar künftig. Anstelle eines Neubaus modernisiert Infineon technische Systeme und Prozessabläufe gezielt. Das schafft eine kostengünstigere Grundlage für wachsende Produktionsvolumina langfristig dort. Die Kapazität folgt dem tatsächlichen Bedarf der internationalen Kunden flexibel. GaN senkt Energieverluste bei schnellen Schaltvorgängen in Leistungselektronik deutlich spürbar. Damit profitieren Betreiber energieintensiver Anlagen von effizienteren Stromversorgungssystemen unmittelbar nachhaltig. Förderung aus dem Chips Act stärkt europäische Unabhängigkeit zusätzlich deutlich.
